Гафний тетрахлорид | HFCL4 Порошок | CAS 13499-05-3 | заводская цена

Краткое описание:

Тетрахлорид гафния имеет важное применение в качестве предшественника оксида гафния, катализатора органического синтеза, ядерного применения и тонкого осаждения, подчеркивая ее универсальность и важность в различных технологических областях.

More details feel free to contact: erica@epomaterial.com

Отправить нам электронное письмо

Деталь продукта

Теги продукта

Описание продукта

Краткое введение

Название продукта: тетрахлорид хафния
CAS №: 13499-05-3
Составная формула: HFCL4
Молекулярный вес: 320,3
Внешний вид: белый порошок

Спецификация

Элемент	Спецификация
Появление	Белый порошок
HFCL4+ZRCL4	≥99,9%
Zr	≤200PPM
Fe	≤40ppm
Ti	≤20ppm
Si	≤40ppm
Mg	≤20ppm
Cr	≤20ppm
Ni	≤25plm
U	≤5plm
Al	≤60ppm

Приложение

Предшественник диоксида гафния: Тетрахлорид хафния в основном используется в качестве предшественника для получения диоксида гафния (HFO2), материала с превосходными диэлектрическими свойствами. HFO2 широко используется в диэлектрических приложениях с высоким K для транзисторов и конденсаторов в полупроводниковой промышленности. HFCL4 имеет важное значение для производства передовых электронных устройств из -за его способности образовывать тонкие пленки диоксида гафния.
Катализатор органического синтеза: Тетрахлорид хафния может использоваться в качестве катализатора для различных реакций органического синтеза, особенно полимеризации олефина. Его свойства кислоты Льюиса помогают сформировать активные промежуточные соединения, тем самым повышая эффективность химических реакций. Это применение полезно в производстве полимеров и других органических соединений в химической промышленности.
Ядерное применение: Из -за его высокого сечения поглощения нейтронов тетрахлорид гафния широко используется в ядерных применениях, особенно в контрольных стержнях ядерных реакторов. Гафний может эффективно поглощать нейтроны, поэтому это подходящий материал для регулирования процесса деления, который помогает повысить безопасность и эффективность ядерной энергетической выработки.
Тонкопленочное осаждение: Тетрахлорид хафния используется в процессах химического осаждения пара (CVD) для образования тонких пленок материалов на основе гафния. Эти фильмы необходимы в различных приложениях, включая микроэлектроника, оптику и защитные покрытия. Способность вносить униформу, высококачественные фильмы делают HFCL4 ценными в передовых процессах производства.