Тетрахлорид гафния | Порошок HfCl4 | CAS 13499-05-3 | заводская цена

Краткое описание:

Тетрахлорид гафния имеет важное применение в качестве предшественника оксида гафния, катализатора для органического синтеза, ядерной промышленности и нанесения тонких пленок, что подчеркивает его универсальность и важность в различных технологических областях.

More details feel free to contact: erica@epomaterial.com

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Описание продукта

Краткое введение

Название продукта: Тетрахлорид гафния
Номер CAS: 13499-05-3
Формула соединения: HfCl4
Молекулярный вес: 320,3
Внешний вид: Белый порошок.

Спецификация

Элемент	Спецификация
Появление	Белый порошок
HfCl4+ZrCl4	≥99,9%
Zr	≤200 частей на миллион
Fe	≤40 частей на миллион
Ti	≤20 частей на миллион
Si	≤40 частей на миллион
Mg	≤20 частей на миллион
Cr	≤20 частей на миллион
Ni	≤25 частей на миллион
U	≤5ppm
Al	≤60 частей на миллион

Приложение

Прекурсор диоксида гафния: Тетрахлорид гафния в основном используется в качестве прекурсора для производства диоксида гафния (HfO2), материала с превосходными диэлектрическими свойствами. HfO2 широко используется в диэлектриках с высокой диэлектрической проницаемостью для транзисторов и конденсаторов в полупроводниковой промышленности. HfCl4 необходим в производстве современных электронных устройств благодаря своей способности образовывать тонкие пленки диоксида гафния.
Катализатор органического синтеза: Тетрахлорид гафния может быть использован в качестве катализатора для различных реакций органического синтеза, особенно полимеризации олефинов. Его свойства кислоты Льюиса способствуют образованию активных промежуточных продуктов, тем самым повышая эффективность химических реакций. Это применение ценно при производстве полимеров и других органических соединений в химической промышленности.
Ядерное применение: Благодаря высокому сечению поглощения нейтронов тетрахлорид гафния широко используется в ядерной промышленности, особенно в регулирующих стержнях ядерных реакторов. Гафний может эффективно поглощать нейтроны, поэтому он является подходящим материалом для регулирования процесса деления, что способствует повышению безопасности и эффективности ядерной энергетики.
Нанесение тонких пленок: Тетрахлорид гафния используется в процессах химического осаждения из паровой фазы (CVD) для формирования тонких пленок материалов на основе гафния. Эти пленки необходимы в различных приложениях, включая микроэлектронику, оптику и защитные покрытия. Способность осаждаться на однородные высококачественные пленки делает HfCl4 ценным в передовых производственных процессах.